Производство и поставка монолитно-интегральных схем усилителей мощности
СТРАНА ПРОИСХОЖДЕНИЯ
БеларусьИДЕНТИФИКАТОР
BO7658ОПУБЛИКОВАНО
2024-06-27ПОСЛЕДНЕЕ ОБНОВЛЕНИЕ
2024-06-27СРОК ДЕЙСТВИЯ
Связанный профиль на другом языке
Ответственный (контактное лицо)
Михасёва Наталья
+ 375 33 333 9522
mniirm_m@mail.ru
+ 375 33 333 9522
mniirm_m@mail.ru
Аннотация
Минский НИИ радиоматериалов Национальной академии наук Беларуси предлагает потребителям монолитно-интегральные схемы усилителей мощности на основе производственного соглашения и ищет партнеров для заключения соглашения о дистрибьюторских услугах.
Описание
Минский НИИ радиоматериалов Национальной академии наук Беларуси изготавливает монолитно-интегральные схемы усилителей мощности, предназначенные для усиления мощности передающих герметизированных СВЧ модулей.
Усилители выполнены по монолитной технологии на структурах арсенида галлия. Активным элементом усилителя является полевой транзистор с затвором Шоттки, длина которого составляет 0,2(0,25 и 0,5) мкм. Точки заземления выведены на обратную сторону подложки через отверстия в кристалле арсенида галлия, что позволяет значительно снизить паразитные индуктивности и получить широкую полосу пропускания СВЧ при высоком коэффициенте усиления.
Монолитно-интегральные схемы усилителей мощности характеризуются:
* интегральным исполнением;
* микрополосковой конструкцией;
* широким диапазоном частот;
* высоким КПД.
Технические характеристики:
Области применения:
* радиолокация;
* радиомониторинг;
* средства РЭП;
* радиоизмерительная техника.
Минский НИИ радиоматериалов предлагает партнерам:
* изготовление монолитно-интегральных схем усилителей мощности в рамках производственного соглашения;
* монолитно-интегральные схемы усилителей мощности в рамках соглашения о дистрибьюторских услугах.
Подробнее на сайте Минского НИИ радиоматериалов: монолитно-интегральные схемы усилителей мощности УП 8 1107, УП 9-10, PM 446, PM 560-1, PM 560-2, УП 30-36, PM 496
Усилители выполнены по монолитной технологии на структурах арсенида галлия. Активным элементом усилителя является полевой транзистор с затвором Шоттки, длина которого составляет 0,2(0,25 и 0,5) мкм. Точки заземления выведены на обратную сторону подложки через отверстия в кристалле арсенида галлия, что позволяет значительно снизить паразитные индуктивности и получить широкую полосу пропускания СВЧ при высоком коэффициенте усиления.
Монолитно-интегральные схемы усилителей мощности характеризуются:
* интегральным исполнением;
* микрополосковой конструкцией;
* широким диапазоном частот;
* высоким КПД.
Технические характеристики:
Диапазон рабочих частот, ГГц | |||||||
Коэффициент усиления, дБ, не менее | |||||||
Неравномерность коэффициента усиления, Дб, не более | |||||||
Выходная мощность, дБм, не менее | |||||||
КСВН входа/выхода, не более | |||||||
Регулировка коэффициента усиления, дБ |
Области применения:
* радиолокация;
* радиомониторинг;
* средства РЭП;
* радиоизмерительная техника.
Минский НИИ радиоматериалов предлагает партнерам:
* изготовление монолитно-интегральных схем усилителей мощности в рамках производственного соглашения;
* монолитно-интегральные схемы усилителей мощности в рамках соглашения о дистрибьюторских услугах.
Подробнее на сайте Минского НИИ радиоматериалов: монолитно-интегральные схемы усилителей мощности УП 8 1107, УП 9-10, PM 446, PM 560-1, PM 560-2, УП 30-36, PM 496
Преимущества и инновации
Монолитно-интегральные схемы усилителей мощности являются аналогом продуктов компаний:
-«MACOM» (США);
-«MicroWave Technology, Inc.» (США);
-«Miller MMIC Inc.» (США);
-«Sainty-tech Communications Limited.» (Китай).
-«MACOM» (США);
-«MicroWave Technology, Inc.» (США);
-«Miller MMIC Inc.» (США);
-«Sainty-tech Communications Limited.» (Китай).
Стадия разработки
Представлено на рынке
Источник финансирования
Бюджетные средства
Собственные средства
Собственные средства
Состояние прав на ОИС
Исключительные права
Секретное ноу-хау
Секретное ноу-хау
Секторальная группа (Классификатор)
Аэронавтика, космос и технологии двойного назначения
Информационно-коммуникационные технологии и услуги
Нано- и микротехнологии
Информационно-коммуникационные технологии и услуги
Нано- и микротехнологии
Информация о клиенте
Тип
Научно-исследовательская организация
Год основания
1982
Слова NACE
C.27.90 - Производство прочего электрического оборудования
C.32.99 - Производство прочей продукции, не включенной в другие категории
M.72.19 - Прочие исследования и разработки в области естественных наук и инженерии
M.74.90 - Прочая профессиональная, научная и техническая деятельность, не включенная в другие категории
C.32.99 - Производство прочей продукции, не включенной в другие категории
M.72.19 - Прочие исследования и разработки в области естественных наук и инженерии
M.74.90 - Прочая профессиональная, научная и техническая деятельность, не включенная в другие категории
Годовой оборот (в евро)
10-20 млн
Опыт международного сотрудничества
Есть
Дополнительная информация
Специализация института включает следующие основные направления:
* разработка и производство элементной базы и функциональных узлов СВЧ-техники (твердотельные СВЧ монолитно-интегральные схемы - малошумящие усилители и усилители мощности, защитные устройства, переключатели, аттенюаторы, преобразователи частоты; СВЧ-модули и др.);
* разработка и производство оптоэлектронных компонентов и модулей на их основе (фотодетекторы, светоизлучающие диоды, полупроводниковые лазеры, приемные и передающие оптические модули);
* производство материалов для полупроводникового производства - подложки арсенида галлия стандарта «epi-ready»;
* разработка сенсорной техники, модулей и систем (датчики угла наклона, давления, ускорения, электронный компас и др.);
* разработка и изготовление медицинской техники.
Научно-производственная база института включает в себя специальное технологическое и научно-исследовательское оборудование, предназначенное для разработки и выполнения полного цикла технологических операций изготовления СВЧ, оптоэлектронных компонентов, датчиков физических величин на основе микроэлектромеханических систем, оборудование для изготовления продукции медицинского назначения - датчиков «Глюкосен» и др. В частности оборудование позволяет выполнять операции резки полупроводниковых слитков соединений А3В5 (GaAs, InP, GaN и др.), шлифовки и полировки пластин, эпитаксиального наращивания, операции термодиффузии и имплантации легирующих примесей, операции корпусирования микросхем, контроля их параметров и т.д.
Институт имеет лицензионное программное обеспечение для электродинамических расчетов, собственную библиотеку стандартных элементов, методики контроля и испытаний СВЧ компонентов С, S, L, X, K диапазонов длин волн, оборудование электронной литографии с разрешением 100 нм, обеспечивающее современный уровень проектных норм.
В рамках специализации ведется разработка технологий, элементной базы и на ее основе приборов для различных радиоэлектронных систем: систем радиолокации, волоконно-оптических линий связи, лазерных дальномеров, систем горизонтирования и ориентации объектов, систем управления, наведения и навигации, и т.д.
* разработка и производство элементной базы и функциональных узлов СВЧ-техники (твердотельные СВЧ монолитно-интегральные схемы - малошумящие усилители и усилители мощности, защитные устройства, переключатели, аттенюаторы, преобразователи частоты; СВЧ-модули и др.);
* разработка и производство оптоэлектронных компонентов и модулей на их основе (фотодетекторы, светоизлучающие диоды, полупроводниковые лазеры, приемные и передающие оптические модули);
* производство материалов для полупроводникового производства - подложки арсенида галлия стандарта «epi-ready»;
* разработка сенсорной техники, модулей и систем (датчики угла наклона, давления, ускорения, электронный компас и др.);
* разработка и изготовление медицинской техники.
Научно-производственная база института включает в себя специальное технологическое и научно-исследовательское оборудование, предназначенное для разработки и выполнения полного цикла технологических операций изготовления СВЧ, оптоэлектронных компонентов, датчиков физических величин на основе микроэлектромеханических систем, оборудование для изготовления продукции медицинского назначения - датчиков «Глюкосен» и др. В частности оборудование позволяет выполнять операции резки полупроводниковых слитков соединений А3В5 (GaAs, InP, GaN и др.), шлифовки и полировки пластин, эпитаксиального наращивания, операции термодиффузии и имплантации легирующих примесей, операции корпусирования микросхем, контроля их параметров и т.д.
Институт имеет лицензионное программное обеспечение для электродинамических расчетов, собственную библиотеку стандартных элементов, методики контроля и испытаний СВЧ компонентов С, S, L, X, K диапазонов длин волн, оборудование электронной литографии с разрешением 100 нм, обеспечивающее современный уровень проектных норм.
В рамках специализации ведется разработка технологий, элементной базы и на ее основе приборов для различных радиоэлектронных систем: систем радиолокации, волоконно-оптических линий связи, лазерных дальномеров, систем горизонтирования и ориентации объектов, систем управления, наведения и навигации, и т.д.
Языки общения
Английский
Русский
Русский
Информация о сотрудничестве
Тип сотрудничества
Соглашение о дистрибьюторских услугах
Производственное соглашение
Производственное соглашение
Тип и функции искомого партнера
Потребители, заинтересованные в приобретении монолитно-интегральных схем усилителей мощности на основе производственного соглашения.
Партнеры, заинтересованные в приобретении монолитно-интегральных схем усилителей мощности в рамках соглашения о дистрибьюторских услугах.
Партнеры, заинтересованные в приобретении монолитно-интегральных схем усилителей мощности в рамках соглашения о дистрибьюторских услугах.
Тип и размер искомого партнера
> 500
251-500
МСП 51-250
МСП 11-50
МСП <= 10
Научная организация
Университет
ИП
251-500
МСП 51-250
МСП 11-50
МСП <= 10
Научная организация
Университет
ИП
Приложения
Views: 345
Statistics since 27.06.2024 16:04:40
Statistics since 27.06.2024 16:04:40