Минский НИИ радиоматериалов Национальной академии наук Беларуси предлагает потребителям пластины арсенида галлия (GaAs) на основе производственного соглашения.

Минский НИИ радиоматериалов Национальной академии наук Беларуси изготавливает пластины арсенида галлия, предназначенные для преобразования оптического сигнала в электрический сигнал со скоростью до 2,5 Гбит/с ( ТУ РБ 100428401.088-200).

Пластины арсенида галлия обладают определёнными преимуществами по сравнению с кремниевыми:
* высоким удельным электрическим сопротивлением, а также высоким значением диэлектрической постоянной;
* могут работать на более высоких уровнях мощности, поскольку имеют более высокие напряжения пробоя;
* имееют большую подвижность и скорость насыщения для электронов;
* обеспечивают надежную изоляцию между различными приборами;
* генерируют меньше шума при работе на высоких частотах;
* менее восприимчивы к изменению температуры.

Технические характеристики:

Метод выращивания	Чохральского (LEC)
Диаметр, мм	50,8±0,3 и 76,2±0,3
Удельное сопротивление, Ом⋅см	> 1∙107
Подвижность, см2/В∙с	≥ 4500
Плотность дислокаций, см-2	≤ 1∙105
Тип материала	полуизолирующий
Легирующие примеси	нелегированные
Кристаллографическая ориентация	по заказу
Толщина	по заказу
Ориентация срезов	по заказу
Обработка лицевой стороны	полированная,подготовленная под эпитаксию
Обработка обратной стороны	по заказу
TTV, мкм	< 7
Bow, мкм	< 10
Упаковка	индивидуальный контейнер, в инертной атмосфере.

Сроки и стоимость изготовления определяются в процессе подготовки конкретного заказа.

Области применения:
* производство интегральных схем СВЧ-диапазона;
* дискретных и матричных фотоприемников;
* светодиодов, фотокатодов;
* детекторов ионизирующих излучений;
* оптических изделий для ввода-вывода;
* полупроводниковых лазеров;
* спутниковых солнечных батарей;
* фокусировки и модуляции ИК-излучения и др.

Минский НИИ радиоматериалов предлагает партнерам изготовление пластин арсенида галлия в рамках производственного соглашения.

Подробнее на сайте Минского НИИ радиоматериалов.

Импортозамещение пластин арсенида галлия производства:
-«ПРОТЕХ» (Российская Федерация);
-«Wafer World Inc.» (США);
-«American Elements» (США);
-«Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd.» (Китай);
-«Freiberger Compound Materials Inc.» (Германия);
-«DOWA Electronics Materials Co., Ltd.» (Япония).

Специализация института включает следующие основные направления:
* разработка и производство элементной базы и функциональных узлов СВЧ-техники (твердотельные СВЧ монолитно-интегральные схемы - малошумящие усилители и усилители мощности, защитные устройства, переключатели, аттенюаторы, преобразователи частоты; СВЧ-модули и др.);
* разработка и производство оптоэлектронных компонентов и модулей на их основе (фотодетекторы, светоизлучающие диоды, полупроводниковые лазеры, приемные и передающие оптические модули);
* производство материалов для полупроводникового производства - подложки арсенида галлия стандарта «epi-ready»;
* разработка сенсорной техники, модулей и систем (датчики угла наклона, давления, ускорения, электронный компас и др.);
* разработка и изготовление медицинской техники.

Научно-производственная база института включает в себя специальное технологическое и научно-исследовательское оборудование, предназначенное для разработки и выполнения полного цикла технологических операций изготовления СВЧ, оптоэлектронных компонентов, датчиков физических величин на основе микроэлектромеханических систем, оборудование для изготовления продукции медицинского назначения - датчиков «Глюкосен» и др. В частности оборудование позволяет выполнять операции резки полупроводниковых слитков соединений А3В5 (GaAs, InP, GaN и др.), шлифовки и полировки пластин, эпитаксиального наращивания, операции термодиффузии и имплантации легирующих примесей, операции корпусирования микросхем, контроля их параметров и т.д.

Институт имеет лицензионное программное обеспечение для электродинамических расчетов, собственную библиотеку стандартных элементов, методики контроля и испытаний СВЧ компонентов С, S, L, X, K диапазонов длин волн, оборудование электронной литографии с разрешением 100 нм, обеспечивающее современный уровень проектных норм.

В рамках специализации ведется разработка технологий, элементной базы и на ее основе приборов для различных радиоэлектронных систем: систем радиолокации, волоконно-оптических линий связи, лазерных дальномеров, систем горизонтирования и ориентации объектов, систем управления, наведения и навигации, и т.д.

Потребители, заинтересованные в приобретении пластин арсенида галлия на основе производственного соглашения.