Минский НИИ радиоматериалов предлагает потребителям драйвер лазерного диода для формирования импульсного тока систем наведения на основе производственного соглашения и ищет партнеров для заключения соглашения о дистрибьюторских услугах.

Предназначен для формирования импульсного тока лазерного диода систем наведения, а также может быть использован в качестве технологической оснастки при проверке параметров, электротермотренировки, испытаниях лазерных диодов и решеток лазерных диодов.

Технические характеристики:
- Напряжение питания лазера, В до 80
- Напряжение питания драйвера, В 14 - 15
- Частота повторения импульсов тока накачки, кГц от 1 до 30
- Длительность импульса тока накачки, нс 80 - 130
- Амплитуда импульсов тока накачки (регулируется изменением величины напряжения питания драйвера от внешнего источника), А 20..80
- Длительность импульса запуска, нс 200-800
- Диапазон рабочих температур, °С -60...+80

Питание и запуск модуля производится от внешних источников.

Специализация института включает следующие основные направления:
- разработка и производство элементной базы и функциональных узлов СВЧ-техники (твердотельные СВЧ монолитно-интегральные схемы - малошумящие усилители и усилители мощности, защитные устройства, переключатели, аттенюаторы, преобразователи частоты; СВЧ-модули и др.);
- разработка и производство оптоэлектронных компонентов и модулей на их основе (фотодетекторы, светоизлучающие диоды, полупроводниковые лазеры, приемные и передающие оптические модули);
- производство материалов для полупроводникового производства – подложки арсенида галлия стандарта «epi-ready»;
- разработка сенсорной техники, модулей и систем (датчики угла наклона, давления, ускорения, электронный компас и др.);
- разработка и изготовление медицинской техники.

Научно-производственная база института включает в себя специальное технологическое и научно-исследовательское оборудование, предназначенное для разработки и выполнения полного цикла технологических операций изготовления СВЧ, оптоэлектронных компонентов, датчиков физических величин на основе микроэлектромеханических систем, оборудование для изготовления продукции медицинского назначения - датчиков «Глюкосен» и др. В частности оборудование позволяет выполнять операции резки полупроводниковых слитков соединений А3В5 (GaAs , InP, GaN и др.), шлифовки и полировки пластин, эпитаксиального наращивания, операции термодиффузии и имплантации легирующих примесей, операции корпусирования микросхем, контроля их параметров и т.д.

Институт имеет лицензионное программное обеспечение для электродинамических расчетов, собственную библиотеку стандартных элементов, методики контроля и испытаний СВЧ компонентов С,S,L,X,K диапазонов длин волн, оборудование электронной литографии с разрешением 100 нм, обеспечивающее современный уровень проектных норм.

В рамках специализации ведется разработка технологий, элементной базы и на ее основе приборов для различных радиоэлектронных систем: систем радиолокации, волоконно-оптических линий связи, лазерных дальномеров, систем горизонтирования и ориентации объектов, систем управления, наведения и навигации, и т.д.

Потребители, заинтересованные в приобретении драйверов лазерного диода для формирования импульсного тока систем наведения на основе производственного соглашения.

Партнеры, заинтересованные в приобретении драйверов лазерного диода для формирования импульсного тока систем наведения на основе соглашения о дистрибьюторских услугах.