Институт физики имени Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси предлагает потребителям нитридные гетероструктуры AlN/AlGaN/GaN на подложках из сапфира и карбида кремния на основе производственного соглашения и ищет партнеров для заключения соглашения о дистрибьюторских услугах.

Институт физики имени Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси разработал технологию молекулярно-пучковой эпитаксии нитридных гетероструктур AlN/AlGaN/GaN.

Нитрид галия (GaN) обладает рядом преимуществ перед традиционными Si и GaAs, таких как:
* способность работать при высоких температурах;
* стойкость к воздействию радиации;
* более высокая эффективность приборов;
* высокая плотность и подвижность электронного газа в гетероструктурах AlGaN/GaN позволяют изготавливать на их основе мощные СВЧ и силовые транзисторы.

Разработанная технология роста слоев AlN в режиме step-flow обеспечивает шероховатость ~ 0.7 нм:


Разработанная технология роста позволяет создать транзисторные гетероструктуры с двумерным электронным газом на подложках сапфира и карбида кремния:


Выращенные слои AlGaN, показывают стимулированное излучение в УФ-области спектра с относительно низкими значениями порога:


Области применения:
* коммуникационные, сенсорные и микромеханические технологии;
* в инверторах, блоках питания, драйверах электрических приборов нового покаления с улучшенными массогабаритными характеристиками, работающих в экстремальных условиях, в том числе в космосе;
* для создания СВЧ-усилителей и СВЧ-трактов систем связи;
* в активных фазированных антенных решетках (АФАР).

Институт физики имени Б.И. Степанова предлагает партнерам изготовление нитридных гетероструктур AlN/AlGaN/GaN на подложках из сапфира и карбида кремния на основе производственного соглашения.

Каталог разработок и услуг «Институт Физики имени Б.И. Степанова» 2022, стр.52-53.

Ссылка на сайте Института физики имени Б.И Степанова.

Нитридные гетероструктуры AlN/AlGaN/GaN по своим характеристикам не уступают лучшим мировым аналогам компаний:
«SweGaN AB» (Швеция);
«MSE Supplies LLC» (США);
«IVWorks Co., Ltd.» (Южная Корея);
«Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd» (Китай) и др.

Направлениями научных исследований и разработок Института физики имени Б.И.Степанова в настоящее время являются:
* Лазерная физика, разработка и создание лазерных систем и технологий их применения в медицине, экологии, промышленности, метрологии и защите информации;
* Физическая и нелинейная оптика, раскрытие и использование закономерностей распространения мощного лазерного излучения в различных средах;
* Оптическая спектроскопия, развитие и применение методов и приборов исследования свойств и структуры различных материалов, включая биоткани;
* Нанооптика и наноматериалы;
* Квантовая оптика, разработка проблем использования квантовых свойств электромагнитного излучения в информатике и криптографии;
* Исследование строения и свойств атомно-молекулярных структур и создание на их основе новых оптических материалов, систем, приборов и технологий;
* Физика плазмы и плазменные технологии: исследование взаимодействие плазмы с полями и веществом; разработка и применение методов диагностики плазмы; развитие технологических применений газоразрядной и лазерной плазмы;
* Микро- и оптоэлектроника: светодиодная техника, солнечные элементы, СВЧ техника, микроэлектромеханические и сенсорные системы и устройства;
* Физика фундаментальных взаимодействий и ядерных реакций: исследование строения микромира и Вселенной.

Институт физики имени Б.И. Степанова НАН Беларуси имеет научные контакты с большинством развитых стран. В настоящее время заключено более 50 договоров о научно-техническом сотрудничестве с организациями из 15 стран.

Институт разрабатывает, производит и поставляет во многие страны мира (Россия, Китай, Германия, Франция, США, Саудовская Аравия, Индия и др.) лазерные и оптические приборы различного назначения, а также инновационные компоненты для лазерной техники.

Потребители, заинтересованные в приобретении нитридных гетероструктур AlN/AlGaN/GaN на подложках из сапфира и карбида кремния на основе производственного соглашения.

Партнеры, заинтересованные в приобретении нитридных гетероструктур AlN/AlGaN/GaN на подложках из сапфира и карбида кремния на основе соглашения о дистрибьюторских услугах.