Используются для изготовления пленочных токопроводящих и резистивных элементов интегральных микросхем методом магнетронного напыления.
Применяются в микроэдектронике.
Метод изготовления:
Газоплазменное напыление, прессование и спекание, литье, механическая обработка.
Габаритные размеры:
- диаметр (46-225) х (6-24) мм; (114 - 264) х (2-5) мм.

Преимущества - коэффициент стабильности электрических свойств тонких пленок не более 0,01; удельноое сопротивление резистивных пленок 0,5-1,5 кОм\м, ТКС резистивных пленок 1-10(-4)\К