Minsk Research Institute of Radiomaterials

https://mniirm.by/  
220024 Minsk, Lieutenant Kizhevatov str. 86-2

Элементная база СВЧ диапазона

СТРАНА ПРОИСХОЖДЕНИЯ

Элементная база СВЧ диапазона

ИДЕНТИФИКАТОР

BO3601

ОПУБЛИКОВАНО

2021-03-31

ПОСЛЕДНЕЕ ОБНОВЛЕНИЕ

2021-04-01

СРОК ДЕЙСТВИЯ

Связанный профиль на другом языке
Ответственный (контактное лицо)
Михасёва Наталья
+ 375 33 333 9522
mniirm_m@mail.ru
Аннотация
Минский НИИ радиоматериалов предлагает потребителям и дистрибьютерам широкую номенклатуру элементной базы СВЧ диапазона в рамках производственного или дистрибьютерского соглашения.
Описание
Минским НИИ радиоматериалов разработаны и производятся 29 изделий электронной компонентной базы СВЧ-техники на основе перспективных полупроводниковых материалов А3 В5:
1. Защитное устройство 2,5-12 ГГц.
2. Модуль защитного устройства 2- 4 ГГц.
3. Модуль преобразователя частоты 14-22 ГГц.
4. Модуль преобразователя частоты 6-18 ГГц.
5. Модуль согласованного переключателя 0-18 ГГц.
6. Усилитель мощности 9-10 ГГц.
7. Усилитель мощности 30-36 ГГц.
8. Малошумящий усилитель (МШУ).
9. Модуль фазовращателя 9-11 ГГц.
10. Монолитный дискретный аттенюатор МДА 1113.
11. Переключатель электрических сигналов в диапазоне частот 0-12 ГГц.
12. Усилители УК 2 6106; УК 4 6106; УК 8 6106; УК 12 6106. Предназначены для усиления малых электрических СВЧ сигналов в диапазоне частот 0,75-12 ГГц во входных цепях приемных устройств и цепях усиления гетеродинных сигналов синтезаторов частоты.
13. Усилители мощности УМ 1 И УМ 2. Предназначены для модернизации передающих трактов радиолокационных станций.
14. Блоки твердотельных малошумящих усилителей с защитными устройствами МШУ ЗУ1, МШУ ЗУ2. Предназначены для модернизация входных блоков радиолокационных станций.
15. МОНОЛИТНО-ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ЧАСТОТЫ 14-22 ГГц (РМ 424).
16. МОНОЛИТНО-ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ЧАСТОТЫ 6-18 ГГц (РМ 425).
17. МОНОЛИТНО-ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ЧАСТОТЫ 1,8-4,2 ГГц (РМ 564).
18. МОНОЛИТНО-ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА ПЛАВНОГО АТТЕНЮАТОРА (РМ 517). Предназначена для применения в герметизированных модулях линейных трактов СВЧ радиоэлектронной аппаратуры.
19. МОНОЛИТНО-ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА УСИЛИТЕЛЯ С ИЗМЕНЯЮЩИМСЯ КОЭФФИЦИЕНТОМ УСИЛЕНИЯ 32-36 ГГц (РМ 560-2). Предназначена для использования в качестве усилителя мощности передающих герметизированных СВЧ модулей.
20. МОНОЛИТНО-ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА УСИЛИТЕЛЯ С ИЗМЕНЯЮЩИМСЯ КОЭФФИЦИЕНТОМ УСИЛЕНИЯ 24-26 ГГц (РМ 560-1). Предназначена для использования в качестве усилителя мощности передающих герметизированных СВЧ модулей.
21. МОНОЛИТНО-ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА ПРЕДВАРИТЕЛЬНОГО УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ 33-36 ГГц (РМ 496). Предназначена для использования в качестве усилителя мощности передающих герметизированных СВЧ модулей.
22. УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ 9-10 ГГц (РМ 454). Предназначен для использования в качестве усилителя мощности передающих герметизированных СВЧ модулей.
23. МОНОЛИТНО-ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА ПРЕДВАРИТЕЛЬНОГО УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ 9,5-10,5 ГГц (РМ 446). Предназначена для использования в качестве усилителя мощности передающих герметизированных СВЧ модулей.
24. МОНОЛИТНО-ИНТЕГРАЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ (УП 8 1107). Предназначен для использования в качестве предварительного усилителя мощности передающих герметизированных СВЧ модулей.
25. МОНОЛИТНО-ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА МАЛОШУМЯЩЕГО УСИЛИТЕЛЯ 33-36 ГГц (РМ 516). Предназначена для применения в герметизированных модулях линейных трактов СВЧ радиоэлектронной аппаратуры.
26. МОНОЛИТНО-ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА МАЛОШУМЯЩЕГО УСИЛИТЕЛЯ 8-12 ГГц (РМ 460). Предназначена для усиления малых электрических СВЧ сигналов в диапазоне частот 8-12 ГГц во входных цепях приемных устройств и цепях усиления гетеродинных сигналов синтезаторов частоты в составе герметизированных модулей.
27. МОНОЛИТНО-ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА МАЛОШУМЯЩЕГО УСИЛИТЕЛЯ 4-8 ГГц (РМ 541). Предназначена для усиления малых электрических СВЧ сигналов в диапазоне частот 4-8 ГГц во входных цепях приемных устройств и цепях усиления гетеродинных модулей.
28. Монолитно-интегральная схема защитного устройства 0,5-12 ГГц (РМ 499).
29. Монолитно-интегральная схема усилителя мощности (РМ 469). ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ: усилитель передающего канала выполнен по рНЕМТ технологии с длиной затвора 0,2 мкм.

С характеристиками изделий можно ознакомиться здесь.

Институт предлагает потребителям и дистрибьютерам 29 изделий электронной компонентной базы СВЧ-техники в рамках производственного или дистрибьютерского соглашения.
Преимущества и инновации
При разработке и производстве изделий СВЧ диапазона используются оригинальные методики, в частности, разработанная специалистами института методика контроля и испытаний СВЧ компонентов С,S,L,X,K диапазонов длин волн, микромеханики и сенсорной техники.
Стадия разработки
Представлено на рынке
Источник финансирования
Бюджетные средства
Собственные средства
Состояние прав на ОИС
Секретное ноу-хау
Секторальная группа (Классификатор)
Аэронавтика, космос и технологии двойного назначения
Нано- и микротехнологии

Информация оборганизации

Тип
Научно-исследовательская организация
Год основания
1982
Слова NACE
M.72.19 - Прочие исследования и разработки в области естественных наук и инженерии
C.26.11 - Производство электронных деталей
Годовой оборот (в евро)
10-20 млн
Опыт международного сотрудничества
Есть
Дополнительная информация
Специализация института включает следующие основные направления:
- разработка и производство элементной базы и функциональных узлов СВЧ-техники (твердотельные СВЧ монолитно-интегральные схемы - малошумящие усилители и усилители мощности, защитные устройства, переключатели, аттенюаторы, преобразователи частоты; СВЧ-модули и др.);
- разработка и производство оптоэлектронных компонентов и модулей на их основе (фотодетекторы, светоизлучающие диоды, полупроводниковые лазеры, приемные и передающие оптические модули);
- производство материалов для полупроводникового производства – подложки арсенида галлия стандарта «epi-ready»;
- разработка сенсорной техники, модулей и систем (датчики угла наклона, давления, ускорения, электронный компас и др.);
- разработка и изготовление медицинской техники.

Научно-производственная база института включает в себя специальное технологическое и научно-исследовательское оборудование, предназначенное для разработки и выполнения полного цикла технологических операций изготовления СВЧ, оптоэлектронных компонентов, датчиков физических величин на основе микроэлектромеханических систем, оборудование для изготовления продукции медицинского назначения - датчиков «Глюкосен» и др. В частности оборудование позволяет выполнять операции резки полупроводниковых слитков соединений А3В5 (GaAs , InP, GaN и др.), шлифовки и полировки пластин, эпитаксиального наращивания, операции термодиффузии и имплантации легирующих примесей, операции корпусирования микросхем, контроля их параметров и т.д.

Институт имеет лицензионное программное обеспечение для электродинамических расчетов, собственную библиотеку стандартных элементов, методики контроля и испытаний СВЧ компонентов С,S,L,X,K диапазонов длин волн, оборудование электронной литографии с разрешением 100 нм, обеспечивающее современный уровень проектных норм.

В рамках специализации ведется разработка технологий, элементной базы и на ее основе приборов для различных радиоэлектронных систем: систем радиолокации, волоконно-оптических линий связи, лазерных дальномеров, систем горизонтирования и ориентации объектов, систем управления, наведения и навигации, и т.д.
Языки общения
Английский
Русский

Информация о сотрудничестве

Тип сотрудничества
Соглашение о дистрибьюторских услугах
Производственное соглашение
Тип и функции искомого партнера
Потребители, заинтересованные в приобретении изделий электронной компонентной базы СВЧ-техники в рамках производственного соглашения.

Дистрибьютеры, заинтересованные в приобретении изделий электронной компонентной базы СВЧ-техники в рамках дистрибьютерского соглашения.
Тип и размер искомого партнера
> 500 ТНК
> 500
251-500
МСП 51-250
МСП 11-50
МСП <= 10

Приложения

Views: 2867
Statistics since 31.03.2021 15:25:43