Minsk Research Institute of Radiomaterials
https://mniirm.by/
220024 Minsk, Lieutenant Kizhevatov str. 86-2
https://mniirm.by/
220024 Minsk, Lieutenant Kizhevatov str. 86-2
Производство и поставка датчиков теплового потока
СТРАНА ПРОИСХОЖДЕНИЯ
Производство и поставка датчиков теплового потокаИДЕНТИФИКАТОР
BO7616ОПУБЛИКОВАНО
2023-11-20ПОСЛЕДНЕЕ ОБНОВЛЕНИЕ
2024-07-18СРОК ДЕЙСТВИЯ
Связанный профиль на другом языке
Ответственный (контактное лицо)
Михасёва Наталья
+ 375 33 333 9522
mniirm_m@mail.ru
+ 375 33 333 9522
mniirm_m@mail.ru
Аннотация
Минский НИИ радиоматериалов Национальной академии наук Беларуси предлагает потребителям датчики теплового потока на основе производственного соглашения и ищет партнеров для заключения соглашения о дистрибьюторских услугах.
Описание
Минский НИИ радиоматериалов Национальной академии наук Беларуси совместно с Институтом тепло- и массообмена им. А.В.Лыкова НАН Беларуси разработали датчики теплового потока на основе эффекта Зеебека, предназначенные для измерения мощности потока лучистой энергии с низким энергопотреблением.
Датчики теплового потока изготовлены по планарной технологии с использованием двухсторонней литографии.
Датчики выполнены на базе МЭМС-приемников с чувствительными элементами на основе микротермопар. Такие элементы включают в себя диэлектрическую мембрану с высоким поглощением тепла и несколько последовательно соединенных микротермопар, «горячие» спаи которых расположены на мембране, а «холодные» имеют хороший тепловой контакт с подложкой, что позволяет достичь предельно возможных рабочих характеристик.
Материал для создания мембран кристалла датчика – нестехиометрический нитрид кремния (SixNy), обладающий более низким внутренним напряжением, чем обычно используемый нитрид кремния (Si3N4).
Датчики теплового потока характеризуются:
* малой тепловой инерцией;
* высокой чувствительностью;
* линейностью преобразования;
* малой потребляемой мощностью;
* высокой радиационной стойкостью;
* широким диапазоном измерения лучистой энергии;
* высокой скоростью реакции на тепловое воздействие.
Технические характеристики:
Области применения:
* регулирование температурных процессов, дистанционного измерения температур (турбинные двигатели, медицина);
* селективное измерение лучистой энергии определенных диапазонов спектра;
* системы ориентации малых космических аппаратов;
* системы наземного тестирования космических аппаратов;
* системы наведения ракет и др.
Минский НИИ радиоматериалов предлагает партнерам:
* изготовление датчиков теплового потока на основе производственного соглашения;
* датчики теплового потока в рамках соглашения о дистрибьюторских услугах.
Подробнее можно узнать в статье 1 и статье 2.
Каталог «Разработки НАН Беларуси мирового уровня за период 2020-2022 годы», стр.158-159.
Ссылка на сайте Минского НИИ радиоматериалов.
Датчики теплового потока изготовлены по планарной технологии с использованием двухсторонней литографии.
Датчики выполнены на базе МЭМС-приемников с чувствительными элементами на основе микротермопар. Такие элементы включают в себя диэлектрическую мембрану с высоким поглощением тепла и несколько последовательно соединенных микротермопар, «горячие» спаи которых расположены на мембране, а «холодные» имеют хороший тепловой контакт с подложкой, что позволяет достичь предельно возможных рабочих характеристик.
Материал для создания мембран кристалла датчика – нестехиометрический нитрид кремния (SixNy), обладающий более низким внутренним напряжением, чем обычно используемый нитрид кремния (Si3N4).
Датчики теплового потока характеризуются:
* малой тепловой инерцией;
* высокой чувствительностью;
* линейностью преобразования;
* малой потребляемой мощностью;
* высокой радиационной стойкостью;
* широким диапазоном измерения лучистой энергии;
* высокой скоростью реакции на тепловое воздействие.
Технические характеристики:
Спектральный диапазон измерения, мкм | |
Диапазон мощности оптического излучения, Вт/м2 | |
Чувствительность, В/Вт: | |
* для мощности теплового потока 0..500 Вт/м2 | |
* для мощности теплового потока 500..4000 Вт/м2 | |
Сопротивление термопар, кОм | |
Время отклика, с |
Области применения:
* регулирование температурных процессов, дистанционного измерения температур (турбинные двигатели, медицина);
* селективное измерение лучистой энергии определенных диапазонов спектра;
* системы ориентации малых космических аппаратов;
* системы наземного тестирования космических аппаратов;
* системы наведения ракет и др.
Минский НИИ радиоматериалов предлагает партнерам:
* изготовление датчиков теплового потока на основе производственного соглашения;
* датчики теплового потока в рамках соглашения о дистрибьюторских услугах.
Подробнее можно узнать в статье 1 и статье 2.
Каталог «Разработки НАН Беларуси мирового уровня за период 2020-2022 годы», стр.158-159.
Ссылка на сайте Минского НИИ радиоматериалов.
Преимущества и инновации
Технические преимущества заключаются в использовании планарной технологии и двусторонней фотолитографии, что позволяет увеличить чувствительность и снизить массогабаритные характеристики датчика теплового потока по сравнению с известными решениями.
Импортозамещение датчиков теплового потока:
Vatell TG9000 («Vatell Corporation», США);
ДРТП-15 (ФГУП «ВНИИФТРИ», Российская Федерация);
HFS («Tempsens Instrument Pvt. Ltd.», Индия, Германия, Индонезия).
Импортозамещение датчиков теплового потока:
Vatell TG9000 («Vatell Corporation», США);
ДРТП-15 (ФГУП «ВНИИФТРИ», Российская Федерация);
HFS («Tempsens Instrument Pvt. Ltd.», Индия, Германия, Индонезия).
Стадия разработки
Представлено на рынке
Источник финансирования
Бюджетные средства
Собственные средства
Собственные средства
Состояние прав на ОИС
Исключительные права
Получен патент
Секретное ноу-хау
Получен патент
Секретное ноу-хау
Комментарий для прав на ОИС
Патент Республики Беларусь на полезную модель № 12193 от 30.12.2019 «Термоэлектрический приемник излучения»
Патент Республики Беларусь на полезную модель № 12665 от 30.08.2021 «Термоэлектрический приемник излучения»
Кернасовский, Ю.М., Таратын, И.А., Рыжковская, Д.С., Чакуков, Р.Ф., Филатов, С.А., Кучинский, Г.С., Батырев, Е.В. «Разработка конструкции и технологий изготовления тестового чувствительного элемента датчика теплового потока на основе эффекта Зеебека» / Ю.М. Кернасовский, И.А. Таратын, Д.С. Рыжковская, Р.Ф. Чакуков, С.А. Филатов, Г.С. Кучинский, Е.В. Батырев // Наноиндустрия. – 2019. – № S (89). – с. 577-578.
Таратын, И.А., Кернасовский, Ю.М., Филатов, С.А. «Широкодиапазонные MEMS датчики теплового потока» / И.А. Таратын, Ю.М. Кернасовский, С.А. Филатов // 14-я Междунар. науч.-техн. конф. «Приборостроение-2021». – с. 133-134.
Кернасовский, Ю.М. «Разработка конструкции и технологии изготовления тестового чувствительного элемента датчика теплового потока на основе эффекта Зеебека» / Ю.М. Кернасовский // Международный форум «Микроэлектроника-2018»; 4-я Междунар. науч. конф. «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули»: сб. тез., Алушта, 1–6 окт. 2018 г. – с. 520-524.
Патент Республики Беларусь на полезную модель № 12665 от 30.08.2021 «Термоэлектрический приемник излучения»
Кернасовский, Ю.М., Таратын, И.А., Рыжковская, Д.С., Чакуков, Р.Ф., Филатов, С.А., Кучинский, Г.С., Батырев, Е.В. «Разработка конструкции и технологий изготовления тестового чувствительного элемента датчика теплового потока на основе эффекта Зеебека» / Ю.М. Кернасовский, И.А. Таратын, Д.С. Рыжковская, Р.Ф. Чакуков, С.А. Филатов, Г.С. Кучинский, Е.В. Батырев // Наноиндустрия. – 2019. – № S (89). – с. 577-578.
Таратын, И.А., Кернасовский, Ю.М., Филатов, С.А. «Широкодиапазонные MEMS датчики теплового потока» / И.А. Таратын, Ю.М. Кернасовский, С.А. Филатов // 14-я Междунар. науч.-техн. конф. «Приборостроение-2021». – с. 133-134.
Кернасовский, Ю.М. «Разработка конструкции и технологии изготовления тестового чувствительного элемента датчика теплового потока на основе эффекта Зеебека» / Ю.М. Кернасовский // Международный форум «Микроэлектроника-2018»; 4-я Междунар. науч. конф. «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули»: сб. тез., Алушта, 1–6 окт. 2018 г. – с. 520-524.
Секторальная группа (Классификатор)
Аэронавтика, космос и технологии двойного назначения
Энергетика
Окружающая среда
Здравоохранение
Энергетика
Окружающая среда
Здравоохранение
Информация оборганизации
Тип
Научно-исследовательская организация
Год основания
1982
Слова NACE
C.27.90 - Производство прочего электрического оборудования
C.32.99 - Производство прочей продукции, не включенной в другие категории
M.72.19 - Прочие исследования и разработки в области естественных наук и инженерии
M.74.90 - Прочая профессиональная, научная и техническая деятельность, не включенная в другие категории
C.32.99 - Производство прочей продукции, не включенной в другие категории
M.72.19 - Прочие исследования и разработки в области естественных наук и инженерии
M.74.90 - Прочая профессиональная, научная и техническая деятельность, не включенная в другие категории
Годовой оборот (в евро)
10-20 млн
Опыт международного сотрудничества
Есть
Дополнительная информация
Специализация института включает следующие основные направления:
* разработка и производство элементной базы и функциональных узлов СВЧ-техники (твердотельные СВЧ монолитно-интегральные схемы - малошумящие усилители и усилители мощности, защитные устройства, переключатели, аттенюаторы, преобразователи частоты; СВЧ-модули и др.);
* разработка и производство оптоэлектронных компонентов и модулей на их основе (фотодетекторы, светоизлучающие диоды, полупроводниковые лазеры, приемные и передающие оптические модули);
* производство материалов для полупроводникового производства - подложки арсенида галлия стандарта «epi-ready»;
* разработка сенсорной техники, модулей и систем (датчики угла наклона, давления, ускорения, электронный компас и др.);
* разработка и изготовление медицинской техники.
Научно-производственная база института включает в себя специальное технологическое и научно-исследовательское оборудование, предназначенное для разработки и выполнения полного цикла технологических операций изготовления СВЧ, оптоэлектронных компонентов, датчиков физических величин на основе микроэлектромеханических систем, оборудование для изготовления продукции медицинского назначения - датчиков «Глюкосен» и др. В частности оборудование позволяет выполнять операции резки полупроводниковых слитков соединений А3В5 (GaAs, InP, GaN и др.), шлифовки и полировки пластин, эпитаксиального наращивания, операции термодиффузии и имплантации легирующих примесей, операции корпусирования микросхем, контроля их параметров и т.д.
Институт имеет лицензионное программное обеспечение для электродинамических расчетов, собственную библиотеку стандартных элементов, методики контроля и испытаний СВЧ компонентов С, S, L, X, K диапазонов длин волн, оборудование электронной литографии с разрешением 100 нм, обеспечивающее современный уровень проектных норм.
В рамках специализации ведется разработка технологий, элементной базы и на ее основе приборов для различных радиоэлектронных систем: систем радиолокации, волоконно-оптических линий связи, лазерных дальномеров, систем горизонтирования и ориентации объектов, систем управления, наведения и навигации, и т.д.
* разработка и производство элементной базы и функциональных узлов СВЧ-техники (твердотельные СВЧ монолитно-интегральные схемы - малошумящие усилители и усилители мощности, защитные устройства, переключатели, аттенюаторы, преобразователи частоты; СВЧ-модули и др.);
* разработка и производство оптоэлектронных компонентов и модулей на их основе (фотодетекторы, светоизлучающие диоды, полупроводниковые лазеры, приемные и передающие оптические модули);
* производство материалов для полупроводникового производства - подложки арсенида галлия стандарта «epi-ready»;
* разработка сенсорной техники, модулей и систем (датчики угла наклона, давления, ускорения, электронный компас и др.);
* разработка и изготовление медицинской техники.
Научно-производственная база института включает в себя специальное технологическое и научно-исследовательское оборудование, предназначенное для разработки и выполнения полного цикла технологических операций изготовления СВЧ, оптоэлектронных компонентов, датчиков физических величин на основе микроэлектромеханических систем, оборудование для изготовления продукции медицинского назначения - датчиков «Глюкосен» и др. В частности оборудование позволяет выполнять операции резки полупроводниковых слитков соединений А3В5 (GaAs, InP, GaN и др.), шлифовки и полировки пластин, эпитаксиального наращивания, операции термодиффузии и имплантации легирующих примесей, операции корпусирования микросхем, контроля их параметров и т.д.
Институт имеет лицензионное программное обеспечение для электродинамических расчетов, собственную библиотеку стандартных элементов, методики контроля и испытаний СВЧ компонентов С, S, L, X, K диапазонов длин волн, оборудование электронной литографии с разрешением 100 нм, обеспечивающее современный уровень проектных норм.
В рамках специализации ведется разработка технологий, элементной базы и на ее основе приборов для различных радиоэлектронных систем: систем радиолокации, волоконно-оптических линий связи, лазерных дальномеров, систем горизонтирования и ориентации объектов, систем управления, наведения и навигации, и т.д.
Языки общения
Английский
Русский
Русский
Информация о сотрудничестве
Тип сотрудничества
Соглашение о дистрибьюторских услугах
Производственное соглашение
Производственное соглашение
Тип и функции искомого партнера
Потребители, заинтересованные в приобретении датчиков теплового потока на основе производственного соглашения.
Партнеры, заинтересованные в приобретении датчиков теплового потока в рамках соглашения о дистрибьюторских услугах.
Партнеры, заинтересованные в приобретении датчиков теплового потока в рамках соглашения о дистрибьюторских услугах.
Тип и размер искомого партнера
> 500
251-500
МСП 51-250
МСП 11-50
МСП <= 10
ИП
251-500
МСП 51-250
МСП 11-50
МСП <= 10
ИП
Приложения
Views: 1240
Statistics since 20.11.2023 10:47:21
Statistics since 20.11.2023 10:47:21