Minsk Research Institute of Radiomaterials
https://mniirm.by/
220024 Minsk, Lieutenant Kizhevatov str. 86-2
https://mniirm.by/
220024 Minsk, Lieutenant Kizhevatov str. 86-2
Производство и продажа пластин арсенида галлия (GaAs)
СТРАНА ПРОИСХОЖДЕНИЯ
Производство и продажа пластин арсенида галлия (GaAs)ИДЕНТИФИКАТОР
BO7609ОПУБЛИКОВАНО
2024-06-27ПОСЛЕДНЕЕ ОБНОВЛЕНИЕ
2024-06-27СРОК ДЕЙСТВИЯ
Связанный профиль на другом языке
Ответственный (контактное лицо)
Михасёва Наталья
+ 375 33 333 9522
mniirm_m@mail.ru
+ 375 33 333 9522
mniirm_m@mail.ru
Аннотация
Минский НИИ радиоматериалов Национальной академии наук Беларуси предлагает потребителям пластины арсенида галлия (GaAs) на основе производственного соглашения.
Описание
Минский НИИ радиоматериалов Национальной академии наук Беларуси изготавливает пластины арсенида галлия, предназначенные для преобразования оптического сигнала в электрический сигнал со скоростью до 2,5 Гбит/с ( ТУ РБ 100428401.088-200).
Пластины арсенида галлия обладают определёнными преимуществами по сравнению с кремниевыми:
* высоким удельным электрическим сопротивлением, а также высоким значением диэлектрической постоянной;
* могут работать на более высоких уровнях мощности, поскольку имеют более высокие напряжения пробоя;
* имееют большую подвижность и скорость насыщения для электронов;
* обеспечивают надежную изоляцию между различными приборами;
* генерируют меньше шума при работе на высоких частотах;
* менее восприимчивы к изменению температуры.
Технические характеристики:
Сроки и стоимость изготовления определяются в процессе подготовки конкретного заказа.
Области применения:
* производство интегральных схем СВЧ-диапазона;
* дискретных и матричных фотоприемников;
* светодиодов, фотокатодов;
* детекторов ионизирующих излучений;
* оптических изделий для ввода-вывода;
* полупроводниковых лазеров;
* спутниковых солнечных батарей;
* фокусировки и модуляции ИК-излучения и др.
Минский НИИ радиоматериалов предлагает партнерам изготовление пластин арсенида галлия в рамках производственного соглашения.
Подробнее на сайте Минского НИИ радиоматериалов.
Пластины арсенида галлия обладают определёнными преимуществами по сравнению с кремниевыми:
* высоким удельным электрическим сопротивлением, а также высоким значением диэлектрической постоянной;
* могут работать на более высоких уровнях мощности, поскольку имеют более высокие напряжения пробоя;
* имееют большую подвижность и скорость насыщения для электронов;
* обеспечивают надежную изоляцию между различными приборами;
* генерируют меньше шума при работе на высоких частотах;
* менее восприимчивы к изменению температуры.
Технические характеристики:
Метод выращивания | Чохральского (LEC) |
Диаметр, мм | 50,8±0,3 и 76,2±0,3 |
Удельное сопротивление, Ом⋅см | > 1∙107 |
Подвижность, см2/В∙с | ≥ 4500 |
Плотность дислокаций, см-2 | ≤ 1∙105 |
Тип материала | полуизолирующий |
Легирующие примеси | нелегированные |
Кристаллографическая ориентация | по заказу |
Толщина | по заказу |
Ориентация срезов | по заказу |
Обработка лицевой стороны | полированная,подготовленная под эпитаксию |
Обработка обратной стороны | по заказу |
TTV, мкм | < 7 |
Bow, мкм | < 10 |
Упаковка | индивидуальный контейнер, в инертной атмосфере. |
Сроки и стоимость изготовления определяются в процессе подготовки конкретного заказа.
Области применения:
* производство интегральных схем СВЧ-диапазона;
* дискретных и матричных фотоприемников;
* светодиодов, фотокатодов;
* детекторов ионизирующих излучений;
* оптических изделий для ввода-вывода;
* полупроводниковых лазеров;
* спутниковых солнечных батарей;
* фокусировки и модуляции ИК-излучения и др.
Минский НИИ радиоматериалов предлагает партнерам изготовление пластин арсенида галлия в рамках производственного соглашения.
Подробнее на сайте Минского НИИ радиоматериалов.
Преимущества и инновации
Импортозамещение пластин арсенида галлия производства:
-«ПРОТЕХ» (Российская Федерация);
-«Wafer World Inc.» (США);
-«American Elements» (США);
-«Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd.» (Китай);
-«Freiberger Compound Materials Inc.» (Германия);
-«DOWA Electronics Materials Co., Ltd.» (Япония).
-«ПРОТЕХ» (Российская Федерация);
-«Wafer World Inc.» (США);
-«American Elements» (США);
-«Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd.» (Китай);
-«Freiberger Compound Materials Inc.» (Германия);
-«DOWA Electronics Materials Co., Ltd.» (Япония).
Стадия разработки
Представлено на рынке
Источник финансирования
Бюджетные средства
Собственные средства
Собственные средства
Состояние прав на ОИС
Исключительные права
Секретное ноу-хау
Секретное ноу-хау
Секторальная группа (Классификатор)
Аэронавтика, космос и технологии двойного назначения
Нано- и микротехнологии
Нано- и микротехнологии
Информация об организации
Тип
Научно-исследовательская организация
Год основания
1982
Слова NACE
C.27.90 - Производство прочего электрического оборудования
C.32.99 - Производство прочей продукции, не включенной в другие категории
M.72.19 - Прочие исследования и разработки в области естественных наук и инженерии
M.74.90 - Прочая профессиональная, научная и техническая деятельность, не включенная в другие категории
C.32.99 - Производство прочей продукции, не включенной в другие категории
M.72.19 - Прочие исследования и разработки в области естественных наук и инженерии
M.74.90 - Прочая профессиональная, научная и техническая деятельность, не включенная в другие категории
Годовой оборот (в евро)
10-20 млн
Опыт международного сотрудничества
Есть
Дополнительная информация
Специализация института включает следующие основные направления:
* разработка и производство элементной базы и функциональных узлов СВЧ-техники (твердотельные СВЧ монолитно-интегральные схемы - малошумящие усилители и усилители мощности, защитные устройства, переключатели, аттенюаторы, преобразователи частоты; СВЧ-модули и др.);
* разработка и производство оптоэлектронных компонентов и модулей на их основе (фотодетекторы, светоизлучающие диоды, полупроводниковые лазеры, приемные и передающие оптические модули);
* производство материалов для полупроводникового производства - подложки арсенида галлия стандарта «epi-ready»;
* разработка сенсорной техники, модулей и систем (датчики угла наклона, давления, ускорения, электронный компас и др.);
* разработка и изготовление медицинской техники.
Научно-производственная база института включает в себя специальное технологическое и научно-исследовательское оборудование, предназначенное для разработки и выполнения полного цикла технологических операций изготовления СВЧ, оптоэлектронных компонентов, датчиков физических величин на основе микроэлектромеханических систем, оборудование для изготовления продукции медицинского назначения - датчиков «Глюкосен» и др. В частности оборудование позволяет выполнять операции резки полупроводниковых слитков соединений А3В5 (GaAs, InP, GaN и др.), шлифовки и полировки пластин, эпитаксиального наращивания, операции термодиффузии и имплантации легирующих примесей, операции корпусирования микросхем, контроля их параметров и т.д.
Институт имеет лицензионное программное обеспечение для электродинамических расчетов, собственную библиотеку стандартных элементов, методики контроля и испытаний СВЧ компонентов С, S, L, X, K диапазонов длин волн, оборудование электронной литографии с разрешением 100 нм, обеспечивающее современный уровень проектных норм.
В рамках специализации ведется разработка технологий, элементной базы и на ее основе приборов для различных радиоэлектронных систем: систем радиолокации, волоконно-оптических линий связи, лазерных дальномеров, систем горизонтирования и ориентации объектов, систем управления, наведения и навигации, и т.д.
* разработка и производство элементной базы и функциональных узлов СВЧ-техники (твердотельные СВЧ монолитно-интегральные схемы - малошумящие усилители и усилители мощности, защитные устройства, переключатели, аттенюаторы, преобразователи частоты; СВЧ-модули и др.);
* разработка и производство оптоэлектронных компонентов и модулей на их основе (фотодетекторы, светоизлучающие диоды, полупроводниковые лазеры, приемные и передающие оптические модули);
* производство материалов для полупроводникового производства - подложки арсенида галлия стандарта «epi-ready»;
* разработка сенсорной техники, модулей и систем (датчики угла наклона, давления, ускорения, электронный компас и др.);
* разработка и изготовление медицинской техники.
Научно-производственная база института включает в себя специальное технологическое и научно-исследовательское оборудование, предназначенное для разработки и выполнения полного цикла технологических операций изготовления СВЧ, оптоэлектронных компонентов, датчиков физических величин на основе микроэлектромеханических систем, оборудование для изготовления продукции медицинского назначения - датчиков «Глюкосен» и др. В частности оборудование позволяет выполнять операции резки полупроводниковых слитков соединений А3В5 (GaAs, InP, GaN и др.), шлифовки и полировки пластин, эпитаксиального наращивания, операции термодиффузии и имплантации легирующих примесей, операции корпусирования микросхем, контроля их параметров и т.д.
Институт имеет лицензионное программное обеспечение для электродинамических расчетов, собственную библиотеку стандартных элементов, методики контроля и испытаний СВЧ компонентов С, S, L, X, K диапазонов длин волн, оборудование электронной литографии с разрешением 100 нм, обеспечивающее современный уровень проектных норм.
В рамках специализации ведется разработка технологий, элементной базы и на ее основе приборов для различных радиоэлектронных систем: систем радиолокации, волоконно-оптических линий связи, лазерных дальномеров, систем горизонтирования и ориентации объектов, систем управления, наведения и навигации, и т.д.
Языки общения
Английский
Русский
Русский
Информация о сотрудничестве
Тип сотрудничества
Производственное соглашение
Тип и функции искомого партнера
Потребители, заинтересованные в приобретении пластин арсенида галлия на основе производственного соглашения.
Тип и размер искомого партнера
> 500
251-500
МСП 51-250
МСП 11-50
МСП <= 10
Научная организация
Университет
ИП
251-500
МСП 51-250
МСП 11-50
МСП <= 10
Научная организация
Университет
ИП
Приложения
Views: 272
Statistics since 27.06.2024 15:31:53
Statistics since 27.06.2024 15:31:53