Материалы для формирования тонкопленочных покрытий для кристаллов приборов. Технология формирования покрытий на пластинах кремния Раздел ЗАЩИТНЫЕ ПОКРЫТИЯ Отрасль промышленности Материалы для электроники и радиотехники Технология и оборудование для электронного и радиотехнического производства Проектирование и конструирование электронных приборов и радиоэлектронной аппаратуры Твердотельные приборы Программа Новые материалы и технологии Область применения Для кристаллов приборов повышенной термостойкости (диодов Шотки серии SB). Описание Разработанная технология планарной металлизации кристаллов, устойчивых к повышенным температурам сборки и эксплуатации приборов — диодов Шоттки серии SB отличается достижением приемлемой адгезии плёнок — до 30 МПа, а также пониженным уровнем остаточных механических напряжений, определяющих стабильность плёнок в условиях эксплуатации, в том числе при термоциклировании, а также надёжность приборов. Проведенные испытания, кристаллов полупроводниковых приборов серии SB показали, что кристаллы приборов выдерживают в отличие от ранее изготавливаемых кристаллов температуру эксплуатации до 150 °С, что соответствует показателям для лучших зарубежных аналогов. Научно-технический уровень Превосходит технологию получения тонкоплёночных покрытий на кремнии по значению предельной температуры эксплуатации. Отечественных производителей приборов аналогичного класса не имеется. Соответствует уровню технологии производства зарубежных аналогов — кристаллов диодов Шоотки серии SB типа I0CTQI50,10CTQ150S и др. Степень готовности Технология внедрена в производство. Ожидаемый результат Увеличение срока эксплуатации изделий. Разработка соответствует современным экологическим требованиям и её широкое использование не приведет к ухудшению экологической обстановки на предприятии. Форма реализации Требуемый объем инвестиций будет определен после уточнения номенклатуры приборов, в которых предполагается использование разработанных наноструктурных материалов тонкоплёночных покрытий и технологии их формирования.	Организация разработчик Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (БГУИР) Адрес: 22013, г. Минск, ул. П. Бровки, 6 Тел.: (+375 17) 292-04-51, 239-88-95 Факс: (+375 17) 231-09-14 E-mail: kanc@gw.bsuir.unibel.by WWW: http://www.bsuir.unibel.by Директор: Батура Михаил Павлович Организация разработчик   УП «Завод «Транзистор» Адрес: 220108, г. Минск, ул. Корженевского, 16 Тел.: (+ 375 17) 277-29-22 Факс: (+375 17) 278-29-17 E-mail: office@transistor.com.by WWW: www.integral.minsk.by/ Директор: Ануфриев Леонид Петрович
Разработка сайта: Adashkevich@tut.by © Государственный комитет по науке и технологиям Республики Беларусь, 2007 г.